Compact modeling of gate tunneling leakage current in advanced nanoscale soi mosfets 

Darbandy, Ghader (Date of defense: 2012-12-10)

En esta tesis se han desarrollado modelos compactos de corriente de fuga por túnel de puerta en SOI MOSFET (de simple y doble puerta) avanzados basados en una aproximación WKB de la probabilidad de túnel. Se han estudiado ...