NEGF Based Analytical Modeling of Advanced MOSFETs 

    Hosenfeld, Fabian (Date of defense: 2017-12-15)

    La corrent túnel de font a drenador (SD) disminueix el rendiment dels dispositius MOSFETs quan la longitud del canal cau per sota de 10 nm. La modelització dels efectes quàntics incloent la corrent túnel SD ha guanyat més ...