Search

Filters

Use filters to refine the search results.

Now showing items 1-2 of 2

NEGF Based Analytical Modeling of Advanced MOSFETs

Hosenfeld, Fabian (Date of defense: 15-12-2017)
La corrent túnel de font a drenador (SD) disminueix el rendiment dels dispositius MOSFETs quan la longitud del canal cau per sota de 10 nm. La modelització dels efectes quàntics incloent la corrent túnel SD ha guanyat més ...
Two-Dimensional Analytical Modeling of Tunnel-FETs

Gräf, Michael (Date of defense: 05-07-2017)
Basat en un mecanisme de transport de corrent de banda a banda, el túnel-FET és capaç de superar la limitació de pendent sub-llindar física del MOSFET de 60 mV /dec. Per tant, s'ha convertit en un dels dispositius més ...