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Puig i Vidal, Manuel (Fecha de defensa: 1993-06-09)
RÉSUMÉ:<br/><br/>Dans ce mémoire, nous avons proposé une méthodologie de conception originale basée sur un concept de puits flottant permettant de rendre immune au "latch-up" une technologie CMOS/DMOS ...
Marco Colás, Santiago (Fecha de defensa: 1993-07-20)
Dentro del amplísimo campo de los sensores, están emergiendo con gran fuerza los dispositivos basados en tecnología de silicio. El uso de la tecnología microelectrónica para la producción de sensores ...
Diéguez Barrientos, Àngel (Fecha de defensa: 1999-09-29)
La investigación presentada está centrada en la mejora de sensores de gas conductométricos de Sn02. Se analizan sensores en capa gruesa y en capa delgada. En el primer caso, el polvo de Sn02 necesario ...
Calvo Barrio, Lorenzo (Fecha de defensa: 1999-07-16)
The goal of this dissertation is the study and characterisation of high dose Carbon (C) implantation processes into Silicon (Si) and related materials for the synthesis of Silicon Carbide (SiC). The ...
Bosch Estrada, José (Fecha de defensa: 1993-09-28)
En la primera parte de este trabajo se analizan diferentes técnicas experimentales tales como la Fotoluminiscencia (PL); Absorción Óptica (AO); Fotoexcitación de la Luminiscencia (PLE) Admitancia, que ...