Universitat Rovira i Virgili
Now showing items 1-10 of 11
S'ha demostrat que les propietats òptiques de l'alúmina nanoporosa depenen intrínsecament de la seva arquitectura, el que fa possible modular la seva índex de refracció per fabricar materials avançats ...
Els transistors orgànics de capa fina (TFT) són dispositius prometedors per a les pantalles flexibles de matriu activa i els conjunts de sensors, ja que poden fabricar-se a temperatures de procés ...
L’ implementació de la tecnologia de comunicació de camp proper (NFC) en els telèfons intel·ligents no para de créixer degut a l’ús d’aquesta per fer pagaments, això, junt amb el fet de poder aprofitar ...
Aquesta tesi se central en la formació d’eixams, on s’estudia el comportament coordinat d’un grup de robots per formar un patró quan s’observa a nivell global. En aquest sentit, la formació de la forma ...
En aquesta tesis utilitzant principalment Aerosol Assited Chemical Vapor Deposition, AACVD, com a metodologia de síntesis d'òxid de tungstè nanoestructurat s'han fabricat diferents sensors de gasos. Per ...
Aquesta tesi demostra la transició dels materials de detecció de gasos des dels òxids metàl·lics semiconductors d'alt consum d'energia cap als dicalcogeniurs de metalls de transició enriquits en vores. ...
En aquesta tesi es presenta el funcionament auto-oscil·lant de convertidors ressonants, produït per l'ús apropiat del signe del corrent de l'inductor d'entrada com a mecanisme de canvi de la polaritat ...
Aquesta tesi està enfocada en dues línies d'investigació. La primera aborda el desenvolupament d'una metodologia basada en llum polsada per modulació de sensors químic-resistius per a l'extracció ...
Els dispositius d'alta eficiència i estables juntament amb la producció de baix cost són els requisits previs clau perquè la tecnologia fotovoltaica orgànica entri en el mercat nínxol. L'enfocament ...
La corrent túnel de font a drenador (SD) disminueix el rendiment dels dispositius MOSFETs quan la longitud del canal cau per sota de 10 nm. La modelització dels efectes quàntics incloent la corrent túnel ...
