Yigletu, Fetene Mulugeta (Date of defense: 2014-09-19)
Aquesta tesi adreça el modelatge de dispositius HEMTs. Es presenta un model compacte, de base física, d’ AlGaN/GaN HEMTs per a la simulación de circuits. Es desenvolupa un model complet del corrent de ...
Muhea, Wondwosen Eshetu (Date of defense: 2019-07-08)
El'objectiu d'aquesta tesi és el modelatge compacte basat en la física dels transistors de pel·lícula prima i d'alta mobilitat d'electrons (TFTs, HEMTs). En primer lloc, s'ha realitzat la caracterització ...
Gräf, Michael (Date of defense: 2017-07-05)
Basat en un mecanisme de transport de corrent de banda a banda, el túnel-FET és capaç de superar la limitació de pendent sub-llindar física del MOSFET de 60 mV /dec. Per tant, s'ha convertit en un dels ...
Hosenfeld, Fabian (Date of defense: 2017-12-15)
La corrent túnel de font a drenador (SD) disminueix el rendiment dels dispositius MOSFETs quan la longitud del canal cau per sota de 10 nm. La modelització dels efectes quàntics incloent la corrent túnel ...