dc.contributor
Universitat Rovira i Virgili. Departament d'Enginyeria Electrònica, Elèctrica i Automàtica
dc.contributor.author
Cortes Ordoñez, Harold
dc.date.accessioned
2020-12-16T16:35:05Z
dc.date.available
2020-12-16T16:35:05Z
dc.date.issued
2020-07-30
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/10803/670210
dc.description.abstract
En aquesta tesi, tenim com a objectiu el modelat de corrent de desguàs per a transistors orgànics de pel·licula fina (OTFTs) i transistors de pel·lícula fina de l'oxi Indium-GalliumZinc (TFTGZO) de 150K a 370K, a més, presentem un model per a la capacitancça gate-gate per OTFTs. utilitzant els models de corrent desenvolupats, analitzen les dependències de temperatura aplicant mètodes d'extracció de paràmetres directes a les característiques experimental I-V aplicant temperatures de 150 a 370K per a OTFTs i GZOs, A més analitzen el comportament de la capacitança de la porta de temperatures que oscil·len entre 200K i 300K. La majoria dels paràmetres del model de capacitança de la porta s'extreuen de les característiques I-V. Hem validat correctament els nostres models en compració amb les característiques experimentals I-V tant de OTFTs com de TFT IGZO de 150k a 370K i C-V a diferents freqüències de OTFTs.
en_US
dc.format.extent
130 p.
en_US
dc.format.mimetype
application/pdf
dc.language.iso
eng
en_US
dc.publisher
Universitat Rovira i Virgili
dc.rights.license
ADVERTIMENT. Tots els drets reservats. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
dc.source
TDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
dc.subject
Model compacte
en_US
dc.subject
Transistors orgànics
en_US
dc.subject
Depenent de la temperatura
en_US
dc.subject
Modelo compacto
en_US
dc.subject
Transistores orgánicos
en_US
dc.subject
Dependencia de la temperatura
en_US
dc.subject
compact model
en_US
dc.subject
organic transistors
en_US
dc.subject
temperature dependent
en_US
dc.subject.other
Enginyeria i arquitectura
en_US
dc.title
Physical behaviour analysis and compact temperature-dependent modeling in Organic and IGZO TFTs
en_US
dc.type
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.subject.udc
621.3
en_US
dc.contributor.authoremail
harold.cortes@urv.cat
en_US
dc.contributor.director
Iñiguez Nicolau, Benjamin
dc.embargo.terms
cap
en_US
dc.rights.accessLevel
info:eu-repo/semantics/openAccess
