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Samitier i Martí, Josep (Fecha de defensa: 1986-06-25)
Al principio de los años 60, aparecieron los primeros transistores FET en Arseniuro de Galio. En el instante en que el silicio se imponía de forma definitiva al germanio, la aparición de este nuevo ...
Soto Riera, Joan (Fecha de defensa: 1985-12-11)
Aquesta memòria està estructurada en set capítols i vuit apèndixs. Dels capítols, els dos primers es poden considerar introducció, mentre que la resta són ja treball original. El capítol I està dedicat ...
Garrido Fernández, Blas (Fecha de defensa: 1993-01-01)
A lo largo de este trabajo se han estudiado la estructura y propiedades del SiO(2) y de su interficie con el silicio. La estructura del sistema depende de la tecnología empleada en el crecimiento del ...
Cornet i Calveras, Albert (Fecha de defensa: 1987-05-18)
En la pasada década, se han observado nuevas bandas de luminescencia en los semiconductores cuando son excitados fuertemente por medio de láseres (fotoexcitacion). La interpretación del origen de estas ...
Masoliver, Jaume, 1951- (Fecha de defensa: 1983-01-21)
En esta Tesis se llega a resultados originales relacionados con las propiedades dinámicas de las sistemas de muchos cuerpos o grados de libertad. En particular se estudian propiedades estocásticas y ...
Esteve Pujol, Joan (Fecha de defensa: 1976-10-01)
Dentro del gran desarrollo que en nuestros dias tienen los dispositivos electrónicos de estado sólido, el contacto metal –semiconductor diodo Schottky ha encontrado recientemente un interés renovado. Diversos ...
Peiró Martínez, Francisca (Fecha de defensa: 1993-09-03)
La finalidad de la investigación es la optimización del crecimiento de estructuras InX Ga1-XAs/InYA11-YAs/InP, para la obtención de dispositivos HEMT funcionales. Previamente se ha optimizado la ...