Caracterización de subóxidos de silicio obtenidos por las técnicas de PECVD 

Benmessaoud, Alí (Date of defense: 2001-12-17)

Se ha escogido la técnica PECVD para obtener depósitos de subóxido de silicio, SiOx, de espesores del orden de la micra, sobre substratos de Si de dos pulgadas. Hemos logrado depósitos con contenidos de oxígeno entre 1.3 ...