Benmessaoud, Alí (Date of defense: 2001-12-17)
Se ha escogido la técnica PECVD para obtener depósitos de subóxido de silicio, SiOx, de espesores del orden de la micra, sobre substratos de Si de dos pulgadas. Hemos logrado depósitos con contenidos ...
Moreno Soriano, Alfonso (Date of defense: 2006-03-31)
Con el cambio del siglo XX al XXI, la importancia de las tecnologías ópticas, como herramientas esenciales para otras ciencias, está llamando la atención en diferentes ámbitos científicos y económicos. ...
El Felk, Zakia (Date of defense: 2001-03-05)
En este trabajo se ha estudiado el crecimiento epitaxial de capas de silicio sobre substrato de Si (001) y capas pseudomórficas de Si1-yCy utilizando silano y tetrametilsilano como gases precursores en ...
Abad Muñoz, Libertad (Date of defense: 2007-04-27)
En el desarrollo de esta tesis hemos analizado distintos aspectos preliminares relacionados con la utilización de óxidos complejos, tales como las perovskitas de manganeso, en la implementación de ...
Fleta Corral, María Celeste (Date of defense: 2006-09-22)
Pendent
Pérez Rodríguez, Raúl (Date of defense: 2005-10-24)
Els dispositius semiconductors de potència es requereixen per transmetre o rebre gairebé qualsevol tipus de senyal elèctrica i energia electromagnètica. En temps de constant augment del consum energètic ...
Rubi, Diego (Date of defense: 2006-09-15)
Desde la invención del transistor en la década del 40', los dispositivos electrónicos han basado su funcionamiento en la manipulación de la carga del electrón para almacenar o procesar información. Sin ...