Variability and reliability at the nanoscale of gate dielectrics of MOS devices and graphene based structures 

Bayerl, Albin (Data de defensa: 2013-09-27)

En el primer capítulo de ésta tesis, se les dará un resumen del transistor MOSFET y de las consecuencias del escalado de dispositivos electrónicos. También se explican las alternativas posibles para permitir mantener dicha ...