Urresti Ibáñez, Jesús Roberto (Date of defense: 2008-12-11)
The contious reduction in size and work voltage of the new generation integrated circuits (ICs) requires the reducction of the thickness of the different layers that make up (especially the gate oxides ...
Fernández Martínez, Pablo (Date of defense: 2014-10-02)
Cuando los dispositivos semiconductores, especialmente los basados en control por puerta MOS, se someten a una dosis elevada de radiación, sus características eléctricas se deterioran rápidamente. Además, ...