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Crespo Yepes, Albert (Fecha de defensa: 2012-12-18)
Resums pendents
Ayala Cintas, Núria (Fecha de defensa: 2013-09-30)
Durant el treball de tesi s’ha permès ampliar una línia d’investigació al grup de recerca REDEC (Reliability of Electron Device and Circuits) del Departament d’Enginyeria Electrònica de la Universitat ...
Moras Albero, Miquel (Fecha de defensa: 2017-09-22)
El transistor MOSFET es uno de los dispositivos más utilizados en multitud de aplicaciones electrónicas gracias a sus excelentes características de funcionamiento, su bajo consumo y su gran capacidad ...
Pedró Puig, Marta (Fecha de defensa: 2019-07-24)
La present tesi recull els resultats de la recerca orientada a aportar una metodologia de caracterització elèctrica, modelat i simulació per a dispositius de commutació resistiva, quan es consideren ...
Díaz Fortuny, Javier (Fecha de defensa: 2019-07-10)
Desde la invención en 1960 del transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET por sus siglas en inglés), la industria de semiconductores no ha cesado en la creación de nuevas invenciones ...