Ara mostrant els elements 1-1 de 1

    Compact modeling of the rf and noise behavior of multiple-gate mosfets 

    Nae, Bogdan Mihai (Data de defensa: 2011-04-29)

    La reducción de la tecnología MOSFET planar ha sido la opción tecnológica dominante en las últimas décadas. Sin embargo, hemos llegado a un punto en el que los materiales y problemas en los dispositivos surgen, abriendo ...