Universitat Rovira i Virgili
Now showing items 1-10 of 98
La miniaturització dels MOSFET en els circuits integrats ha elevat la tecnologia microelectrònica. Aquesta tendència també augmenta el grau de complexitat d'aquests circuits i els seus components bàsics. ...
En esta tesis se analiza el comportamiento físico de los principales mecanismos de transporte en dispositivos Schottky barrier (Double-Gate) MOSFET nanométricos, y se presentan nuevos modelos compactos ...
The thesis is dedicated to the synthesis, comprehensive material science and some sensing properties of SnO2-MetOx oxide systems (where MetOx are IVB and IIIB metal oxides). The study was performed in ...
Aquesta tesi adreça el modelatge de dispositius HEMTs. Es presenta un model compacte, de base física, d’ AlGaN/GaN HEMTs per a la simulación de circuits. Es desenvolupa un model complet del corrent de ...
Aquesta tesi es centra en la mitigació dels desequilibris deguts a l'envelliment dels sistemes fotovoltaics. La degradació de la corrent de curtcircuit s'ha considerat com el principal factor que afecta ...
El conocimiento del mecanismo de transporte o de conducción en las células solares es útil para identificar las pérdidas eléctricas. En esta tesis, se han aplicado exitosamente modelos de mecanismos de ...
Wind power generation has become one of the most important energy sources. Currently, due to the advances achieved in power electronics and vertical-axis small wind-turbines, the urban integration of ...
En este trabajo se presentó el análisis, diseño, e implementación analógica de estrategias de control robusto utilizando desigualdades matriciales lineales (LMI) en el mejoramiento de la dinámica de los ...
Thesis: DESIGN, FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF POROUS SILICON MULTILAYER OPTICAL DEVICES<br/><br/>Author: Elisabet Xifré Pérez<br/>Directors: Lluís F. Marsal Garví i Josep Pallarès Marzal<br/><br/> ...
En aquesta tesi hem desenvolupat models compactes que incorporen un model de transport hidrodinàmic adaptat a multi-gate (principalment double-gate (DG) and surrounding-gate (SRG) MOSFETs a partir de ...
