Nanoporous GaN by Chemical Vapor Deposition: crystal growth, characterization and applications 

Bilousov, Oleksandr (Date of defense: 2014-07-09)

La societat modera presenta una creixent demanda d'energia, una quantitat significativa de la qual s'utilitza en il·luminació. El nitrur de Ga (GaN és un semiconductor de gap ample, base dels LEDs de llum blanca, que ...