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Garrido Fernández, Blas (Fecha de defensa: 1993-01-01)
A lo largo de este trabajo se han estudiado la estructura y propiedades del SiO(2) y de su interficie con el silicio. La estructura del sistema depende de la tecnología empleada en el crecimiento del ...
Peiró Martínez, Francisca (Fecha de defensa: 1993-09-03)
La finalidad de la investigación es la optimización del crecimiento de estructuras InX Ga1-XAs/InYA11-YAs/InP, para la obtención de dispositivos HEMT funcionales. Previamente se ha optimizado la ...