Efectos de la implantación iónica de boro sobre el aislamiento eléctrico entre MESFET's en circuitos integrados de GaAs 

Samitier i Martí, Josep (Fecha de defensa: 1986-06-25)

Al principio de los años 60, aparecieron los primeros transistores FET en Arseniuro de Galio. En el instante en que el silicio se imponía de forma definitiva al germanio, la aparición de este nuevo material venía justificada ...