Ara mostrant els elements 1-2 de 2
Villamor Baliarda, Ana (Data de defensa: 2013-07-10)
L’objectiu principal de la Tesi Doctoral és augmentar la fiabilitat dels transistors MOS de potència d’alta capacitat en tensió (600 V) basats en el concepte Super-Unió quan aquests components es ...
Fernández Martínez, Pablo (Data de defensa: 2014-10-02)
Cuando los dispositivos semiconductores, especialmente los basados en control por puerta MOS, se someten a una dosis elevada de radiación, sus características eléctricas se deterioran rápidamente. Además, ...